Диоды
Диоды
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
Имя |
Значение по умолчанию |
||||
Forward Voltage (Прямая ветвь ВАХ) |
|||||
Vfwd, Ifwd |
Координаты точек ВАХ диода |
IS RS |
10- 4 А 0,1 Ом |
||
N |
1 |
||||
IKF |
0 |
||||
XTI* |
3 |
||||
EG* |
1,11 В |
||||
Junction Capacitance (Барьерная емкость) |
|||||
Vrev, Cj |
Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения |
CJO VJ М |
1 пФ 0,75 В 0,3333 |
||
FC* |
-0,5 В |
||||
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
Имя |
Значение по умолчанию |
||||
Reverse Leakage (Сопротивление утечки) |
|||||
Vrev, Irev |
Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения |
ISR NR |
100 пА 2 |
||
Reverse Breakdown (Напряжение стабилизации) |
|||||
Vz |
Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz |
BV IBV |
100 В 100 мкА |
||
Iz |
Ток пробоя (стабилизации) |
||||
Zz |
Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz) |
||||
Reverse Recovery (Рассасывание носителей заряда) |
|||||
Trr |
Время рассасывания носителей заряда |
ТТ |
5 не |
||
Ifwd |
Ток диода в прямом направлении до переключения |
||||
Irev |
Обратный ток диода после переключения |
||||
Rl |
Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора) |
||||
Биполярные транзисторы. В табл. 5.6 приведены паспортные данные биполярного транзистора (Bipolar Transistor: NPN, PNP), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.
Биполярные транзисторы
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
Имя |
Значение по умолчанию |
||||
V(be) (sat) Voltage (Напряжение на р-я-переходе в режиме насыщения) |
|||||
Vbe |
Смещение база-эмиттер в режиме насыщения |
IS RB |
10- 5 А 3 Ом |
||
Vce |
Смещение коллектор-эмиттер в режиме насыщения |
||||
Output Admitance (Выходная проводимость) |
|||||
Ic, hoe |
Зависимость выходной проводимости при холостом ходе на выходе hoe от тока коллектора 1с |
VAF |
100 В |
||
Vce |
Смещение коллектор-эмиттер Vce=5 В |
||||
Forward DC Beta (Статический коэффициент передачи по току) |
|||||
Ic, hFE |
Зависимость статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ в нормальном режиме hFE от тока коллектора 1с. Измерения проводились при смещении коллектор-эмиттер Vce=l В |
BF |
100 1,5 0 1,5 0,5 |
||
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
Имя |
Значение по умолчанию |
||||
Vce(sat) Voltage (Напряжение насыщения коллектор-эмиттер) |
|||||
Ic, Vce |
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер Vce от тока коллектора Iс. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10 |
BR NC ISC IKR RC |
1 2 0 0 0 |
||
С-В Capacitance (Барьерная емкость коллектор-база) |
|||||
Vcb, Cobo |
Зависимость выходной емкости Cobo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения коллектор-база Vcb |
CJC VJC MJC FC* |
2 пФ 0,75 В 0,3333 0,5 |
||
Е-В Capacitance (Барьерная емкость эмиттер-база) |
|||||
Veb, Cibo |
Зависимость входной емкости Cibo в режиме холостого хода на входе от напряжения обратного смещения эмиттер-база Veb |
CJE V.JE MJE |
5 пФ 0,75 В 0,3333 |
||
Storage Time (Время рассасывания заряда) |
|||||
Ic, ts |
Зависимость времени рассасывания ts от тока коллектора 1с. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10 |
TR |
10 не |
||
Gain Bandwidth (Площадь усиления) |
|||||
Ic, ГГ |
Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока ГГ в схеме с ОЭ от тока коллектора 1с. Смещение коллектор-эмиттер Vce=10 В |
TF ITF |
1 НС |
||
Статически индуцированный биполярный транзистор. Паспортные данные статически индуцированного биполярного транзистора (Ins Gate Bipolar Transistor), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.7.
Статически индуцированные биполярные транзисторы
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
Имя |
Значение по умолчанию |
||||
Fall Time (Время спада) |
|||||
Icmax |
Абсолютное значение максимального тока коллектора при температуре 25 °С |
AGD AREA TAU |
5*10 -5 см 2 5*10 -6 м 2 7,1 мкс |
||
Bvces |
Абсолютное значение максимального напряжения пробоя коллектор-эмиттер при коротком замыкании затвор-эмиттер |
||||
tf |
Время спада тока коллектора при индуктивной нагрузке при заданных значениях Ic, Vce |
||||
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
Имя |
Значение по умолчанию |
||||
Ic |
Ток коллектора |
WB |
9*10 -5 м |
||
Vce |
Напряжение коллектор-эмиттер |
||||
Transfer Characteristics (Проходная характеристика) |
|||||
Vge, Ic |
Зависимость тока коллектора 1с от смещения затвор-эмиттер Vge |
КР |
0,38 А/В 2 2 В |
||
Saturation Characteristics (Характеристики насыщения) |
|||||
Vce, Ic |
Зависимость тока коллектора 1с от напряжения коллектор-эмиттер Vce в режиме насыщения |
KF |
1 А/В 2 |
||
Vge |
Напряжение затвор-эмиттер, при котором проведены измерения |
||||
Gate Charge (Заряд области затвора) |
|||||
Qge |
Заряд области затвор-эмиттер в состоянии «включено» |
CGS COXD VTD |
12,4 нФ/В 2 35 нФ/В 2 -5 В |
||
Qgc |
Заряд области затвор-коллектор в состоянии «включено» |
||||
Qg |
Общий заряд затвора в состоянии «включено» |
||||
Vg |
Напряжение на затворе, при котором измерен заряд Qg |
||||
Vce |
Напряжение на коллекторе, при котором измерены Qge, Qgc, Qg |
||||
Ic |
Ток коллектора, при котором измерены Qge, Qgc, Qg |
||||
Полевые транзисторы. Паспортные данные полевого транзистора (Junction FET: N-, P-CHANNEL), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.8.
Полевые транзисторы
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
Имя |
Значение по умолчанию |
||||
Transconductance (Передаточная проводимость) |
|||||
Id, gFS |
Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id |
BETA ВЕТАТСЕ* RS RD |
0,001 -0,5 1 Ом 1 Ом |
||
Output Conductance (Выходная проводимость) |
|||||
Id, gOS |
Зависимость выходной проводимости gOS от тока стока Id |
LAMBDA |
0,01 |
||
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
Имя |
Значение по умолчанию |
||||
Transfer Curve (Проходная характеристика) |
|||||
Vgs, Id |
Зависимость тока стока Id от смещения затвор-исток Vgs |
VTO VTOTC* |
-2,5В -0,0025 |
||
Yds |
Смещение сток-исток |
||||
Reverse Transfer Capacitance (Проходная емкость) |
|||||
Vgs, Crss |
Зависимость проходной емкости Crss от смещения затвор-исток Vgs |
CGD М |
1 пФ 0,3333 |
||
Yds |
Смещение сток-ис’гок |
||||
Input Capacitance (Входная емкость) |
|||||
Vgs, Ciss |
Зависимость входной емкости Ciss от смещения затвор-исток Vgs |
CGS |
1 пФ |
||
Vds |
Смещение сток-исток |
||||
Passive Gate Leakage (Ток утечки затвора в пассивном режиме) |
|||||
Vdg, Igss |
Зависимость тока утечки затвора Igss от смещения сток-затвор Vdg |
IS ISR |
10- 15 А 10- 12 А 1 2 3 |
||
Active Gate Leakage (Ток утечки затвора в активном режиме) |
|||||
Vdg, Ig |
Зависимость тока утечки затвора Ig от смещения сток-затвор Vdg |
ALPHA VK |
10- 6 100В |
||
Id |
Ток стока |
||||
Noise Voltage (Уровень внутреннего шума) |
|||||
Freq, en |
Зависимость от частоты эквивалентной спектральной плотности напряжения шума, приведенного ко входу |
KF |
10 -18 1 |
||
Id |
Ток стока |