Warning: include(/var/www/iill7773/data/www/wiselab.ru/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache-base.php): failed to open stream: No such file or directory in /home/u7426dd0/domains/wiselab.ru/public_html/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache.php on line 65

Warning: include(): Failed opening '/var/www/iill7773/data/www/wiselab.ru/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache-base.php' for inclusion (include_path='.:/opt/alt/php55/usr/share/pear:/opt/alt/php55/usr/share/php') in /home/u7426dd0/domains/wiselab.ru/public_html/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache.php on line 65

Warning: include_once(/var/www/iill7773/data/www/wiselab.ru/wp-content/plugins/wp-super-cache/ossdl-cdn.php): failed to open stream: No such file or directory in /home/u7426dd0/domains/wiselab.ru/public_html/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache.php on line 82

Warning: include_once(): Failed opening '/var/www/iill7773/data/www/wiselab.ru/wp-content/plugins/wp-super-cache/ossdl-cdn.php' for inclusion (include_path='.:/opt/alt/php55/usr/share/pear:/opt/alt/php55/usr/share/php') in /home/u7426dd0/domains/wiselab.ru/public_html/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache.php on line 82
Диоды | Учебники

Главная > OrCAD > Диоды


Диоды

Диоды

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Forward Voltage (Прямая ветвь ВАХ)

Vfwd, Ifwd

Координаты точек ВАХ диода

IS RS

10- 4 А 0,1 Ом

N

1

IKF

0

XTI*

3

EG*

1,11 В

Junction Capacitance (Барьерная емкость)

Vrev, Cj

Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения

CJO VJ М

1 пФ 0,75 В 0,3333

FC*

-0,5 В

 

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Reverse Leakage (Сопротивление утечки)

Vrev, Irev

Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения

ISR NR

100 пА 2

Reverse Breakdown (Напряжение стабилизации)

Vz

Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz

BV IBV

100 В 100 мкА

Iz

Ток пробоя (стабилизации)

Zz

Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz)

Reverse Recovery (Рассасывание носителей заряда)

Trr

Время рассасывания носителей заряда

ТТ

5 не

Ifwd

Ток диода в прямом направлении до переключения

Irev

Обратный ток диода после переключения

Rl

Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора)

Биполярные транзисторы. В табл. 5.6 приведены паспортные данные биполярного транзистора (Bipolar Transistor: NPN, PNP), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.
Биполярные транзисторы

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

V(be) (sat) Voltage (Напряжение на р-я-переходе в режиме насыщения)

Vbe

Смещение база-эмиттер в режиме насыщения

IS RB
XTI* EG*

10- 5 А 3 Ом
1,11 В

Vce

Смещение коллектор-эмиттер в режиме насыщения

Output Admitance (Выходная проводимость)

Ic, hoe

Зависимость выходной проводимости при холостом ходе на выходе hoe от тока коллектора 1с

VAF

100 В

Vce

Смещение коллектор-эмиттер Vce=5 В

Forward DC Beta (Статический коэффициент передачи по току)

Ic, hFE

Зависимость статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ в нормальном режиме hFE от тока коллектора 1с. Измерения проводились при смещении коллектор-эмиттер Vce=l В

BF
NE ISE XTB*
NK*

100 1,5 0 1,5 0,5

 

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Vce(sat) Voltage (Напряжение насыщения коллектор-эмиттер)

Ic, Vce

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер Vce от тока коллектора Iс. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10

BR NC ISC IKR RC

1 2 0 0 0

С-В Capacitance (Барьерная емкость коллектор-база)

Vcb, Cobo

Зависимость выходной емкости Cobo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения коллектор-база Vcb

CJC VJC MJC FC*

2 пФ 0,75 В 0,3333 0,5

Е-В Capacitance (Барьерная емкость эмиттер-база)

Veb, Cibo

Зависимость входной емкости Cibo в режиме холостого хода на входе от напряжения обратного смещения эмиттер-база Veb

CJE V.JE MJE

5 пФ 0,75 В 0,3333

Storage Time (Время рассасывания заряда)

Ic, ts

Зависимость времени рассасывания ts от тока коллектора 1с. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10

TR

10 не

Gain Bandwidth (Площадь усиления)

Ic, ГГ

Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока ГГ в схеме с ОЭ от тока коллектора 1с. Смещение коллектор-эмиттер Vce=10 В

TF ITF
XTF VTF *

1 НС
1 0 10В

Статически индуцированный биполярный транзистор. Паспортные данные статически индуцированного биполярного транзистора (Ins Gate Bipolar Transistor), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.7.
Статически индуцированные биполярные транзисторы

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Fall Time (Время спада)

Icmax

Абсолютное значение максимального тока коллектора при температуре 25 °С

AGD AREA TAU

5*10 -5 см 2 5*10 -6 м 2 7,1 мкс

Bvces

Абсолютное значение максимального напряжения пробоя коллектор-эмиттер при коротком замыкании затвор-эмиттер

tf

Время спада тока коллектора при индуктивной нагрузке при заданных значениях Ic, Vce

 

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Ic

Ток коллектора

WB

9*10 -5 м

Vce

Напряжение коллектор-эмиттер

Transfer Characteristics (Проходная характеристика)

Vge, Ic

Зависимость тока коллектора 1с от смещения затвор-эмиттер Vge

КР
VT

0,38 А/В 2 2 В

Saturation Characteristics (Характеристики насыщения)

Vce, Ic

Зависимость тока коллектора 1с от напряжения коллектор-эмиттер Vce в режиме насыщения

KF

1 А/В 2

Vge

Напряжение затвор-эмиттер, при котором проведены измерения

Gate Charge (Заряд области затвора)

Qge

Заряд области затвор-эмиттер в состоянии «включено»

CGS COXD VTD

12,4 нФ/В 2 35 нФ/В 2 -5 В

Qgc

Заряд области затвор-коллектор в состоянии «включено»

Qg

Общий заряд затвора в состоянии «включено»

Vg

Напряжение на затворе, при котором измерен заряд Qg

Vce

Напряжение на коллекторе, при котором измерены Qge, Qgc, Qg

Ic

Ток коллектора, при котором измерены Qge, Qgc, Qg

Полевые транзисторы. Паспортные данные полевого транзистора (Junction FET: N-, P-CHANNEL), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.8.
Полевые транзисторы

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Transconductance (Передаточная проводимость)

Id, gFS

Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id

BETA ВЕТАТСЕ* RS RD

0,001 -0,5 1 Ом 1 Ом

Output Conductance (Выходная проводимость)

Id, gOS

Зависимость выходной проводимости gOS от тока стока Id

LAMBDA

0,01

 

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Transfer Curve (Проходная характеристика)

Vgs, Id

Зависимость тока стока Id от смещения затвор-исток Vgs

VTO VTOTC*

-2,5В -0,0025

Yds

Смещение сток-исток

Reverse Transfer Capacitance (Проходная емкость)

Vgs, Crss

Зависимость проходной емкости Crss от смещения затвор-исток Vgs

CGD М
РВ
FC*

1 пФ 0,3333
1 0,5

Yds

Смещение сток-ис’гок

Input Capacitance (Входная емкость)

Vgs, Ciss

Зависимость входной емкости Ciss от смещения затвор-исток Vgs

CGS

1 пФ

Vds

Смещение сток-исток

Passive Gate Leakage (Ток утечки затвора в пассивном режиме)

Vdg, Igss

Зависимость тока утечки затвора Igss от смещения сток-затвор Vdg

IS ISR
N NR XTI*

10- 15 А 10- 12 А 1 2 3

Active Gate Leakage (Ток утечки затвора в активном режиме)

Vdg, Ig

Зависимость тока утечки затвора Ig от смещения сток-затвор Vdg

ALPHA VK

10- 6 100В

Id

Ток стока

Noise Voltage (Уровень внутреннего шума)

Freq, en

Зависимость от частоты эквивалентной спектральной плотности напряжения шума, приведенного ко входу

KF
AF*

10 -18 1

Id

Ток стока

Статьи по теме

Комментарии запрещены.