Warning: include(/var/www/iill7773/data/www/wiselab.ru/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache-base.php): failed to open stream: No such file or directory in /home/u7426dd0/domains/wiselab.ru/public_html/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache.php on line 65

Warning: include(): Failed opening '/var/www/iill7773/data/www/wiselab.ru/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache-base.php' for inclusion (include_path='.:/opt/alt/php55/usr/share/pear:/opt/alt/php55/usr/share/php') in /home/u7426dd0/domains/wiselab.ru/public_html/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache.php on line 65

Warning: include_once(/var/www/iill7773/data/www/wiselab.ru/wp-content/plugins/wp-super-cache/ossdl-cdn.php): failed to open stream: No such file or directory in /home/u7426dd0/domains/wiselab.ru/public_html/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache.php on line 82

Warning: include_once(): Failed opening '/var/www/iill7773/data/www/wiselab.ru/wp-content/plugins/wp-super-cache/ossdl-cdn.php' for inclusion (include_path='.:/opt/alt/php55/usr/share/pear:/opt/alt/php55/usr/share/php') in /home/u7426dd0/domains/wiselab.ru/public_html/wp-content/plugins/wp-super-cache/wp-cache.php on line 82
Полупроводниковые приборы | Учебники

Главная > OrCAD > Полупроводниковые приборы


Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы, математические модели которых встроены в программу PSpice, описываются большим количеством параметров, задаваемых с помощью директивы .MODEL. Перечень и смысл этих параметров подробно объясняются в [7]. Директиву .MODEL можно поместить в описание анализируемой схемы или в файл библиотеки, доступ к которому осуществляется с помощью директивы .LIB. Описание конкретного полупроводникового прибора содержит его имя, номера узлов подключения, имя модели и коэффициент кратности Area, с помощью которого имитируется параллельное включение нескольких одинаковых приборов.
Диод описывается предложением
Dxxx <узел анода> <узел катода> <имя модели> + [< коэффициент кратности Аrеа>]
Модель диода задается в виде
.MODEL <имя модели> D[(параметры модели)}
Пример 1. Включим между узлами 1 и 2 диод DB, параметры которого вводятся с помощью директивы .MODEL:
D1 12 D9B
.MODEL D9B D(IS=5UA RS=14 BV=2.81 IBV=5UA)
Пример 2. Включим между узлами 1 и 2 диод D104A, параметры которого записаны в библиотечном файле d.lib
D1 1 2D104A .LIB D.LIB
Биполярный транзистор описывается предложением
Qxxx <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера>
+ [<узел подложки>] <имя модели> [<коэффициент кратности Агеа>]
Модели биполярных транзисторов задаются в виде
.MODEL <имя модели> NPN [(параметры модели)}
.MODEL <имя модели> PNP [(параметры модели)}
.MODEL <имя модели> LPNP[(napaMempbt модели)]
Статически индуцированный биполярный транзистор описывается предложением
Zxxx <узел коллектора> <узел затвора> <узел эмиттера> + <имя модели> [АRЕА=<значение>] [WB-<значение>] + [АGD=<значение>] [КР=<значение>] [ТАU=<значение>]
Назначение необязательных параметров AREA, WB, AGD, КР и TAU указано в [7] . Модели статически индуцированных биполярных транзисторов задаются в виде
.MODEL <имя модели> NIGBT [(параметры модели)]
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом описывается предложением
Зххх<узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели> + [<коэффициент кратности Агеа>]
Модели полевых транзисторов задаются в виде
.MODEL <имя модели> NJF [(параметры модели)]
.MODEL <имя модели> PJF [(параметры модели)]
Арсенид-галлиевый полевой транзистор с управляющим р-я-переходом и каналом n-типа описывается предложением
Еххх <узел стока><узел затеораХузел истока> <имя модели> + [<коэффициент кратности Агеа>]
Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде .MODEL <имя модели> GASFET [(параметры модели)] МОП-транзистор описывается предложением
Mxxx <узел стокаХузел затеораХузел истока> <узел подложки> + <имя модели>
+ [L=<значение>] [W=<значение>] [АD=<значение>] [АS=<значение>]
+ [PD=<значение>] [PS=<значение>] [NRD=<значение>] [NRS=<значение>]
+ [NRG=<значение>] [NRB=<значение>] [М=<значение>]
Необязательные параметры приведены.
Параметры L и W могут быть заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве .MODEL; кроме того, параметры L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые по директиве .OPTIONS.
Модели МОП-транзисторов задаются в виде
.MODEL <имя модели> NMOS[(параметры модели)]
.MODEL <имя модели> РMOS[(параметры модели)]
Необязательные параметры модели МОП-транзистора

Обозначение

Параметр

Значение по умолчанию

Размерность

L

Длина канала

DEFL

м

W

Ширина канала

DEFW

м

AD

Площадь диффузионной области стока

DEFAD

м

AS

Площадь диффузионной области истока

DEFAS

м

PD

Периметр диффузионной области стока

0

м

PS

Периметр диффузионной области истока

0

м

NRD

Удельное относительное сопротивление стока

1

NRS

Удельное относительное сопротивление истока

1

 

Обозначение

Параметр

Значение по умолчанию

Размерность

NRG

Удельное относительное сопротивление затвора

0

NRB

Удельное относительное сопротивление подложки

0

M

Масштабный коэффициент

1

Статьи по теме

Комментарии запрещены.