Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Forward Voltage (Прямая ветвь ВАХ)

Vfwd, Ifwd

Координаты точек ВАХ диода

IS RS

10- 4 А 0,1 Ом

N

1

IKF

0

XTI*

3

EG*

1,11 В

Junction Capacitance (Барьерная емкость)

Vrev, Cj

Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения

CJO VJ М

1 пФ 0,75 В 0,3333

FC*

-0,5 В

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Reverse Leakage (Сопротивление утечки)

Vrev, Irev

Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения

ISR NR

100 пА 2

Reverse Breakdown (Напряжение стабилизации)

Vz

Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz

BV IBV

100 В 100 мкА

Iz

Ток пробоя (стабилизации)

Zz

Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz)

Reverse Recovery (Рассасывание носителей заряда)

Trr

Время рассасывания носителей заряда

ТТ

5 не

Ifwd

Ток диода в прямом направлении до переключения

Irev

Обратный ток диода после переключения

Rl

Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора)

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

V(be) (sat) Voltage (Напряжение на р-я-переходе в режиме насыщения)

Vbe

Смещение база-эмиттер в режиме насыщения

IS RB
XTI* EG*

10- 5 А 3 Ом
1,11 В

Vce

Смещение коллектор-эмиттер в режиме насыщения

Output Admitance (Выходная проводимость)

Ic, hoe

Зависимость выходной проводимости при холостом ходе на выходе hoe от тока коллектора 1с

VAF

100 В

Vce

Смещение коллектор-эмиттер Vce=5 В

Forward DC Beta (Статический коэффициент передачи по току)

Ic, hFE

Зависимость статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ в нормальном режиме hFE от тока коллектора 1с. Измерения проводились при смещении коллектор-эмиттер Vce=l В

BF
NE ISE XTB*
NK*

100 1,5 0 1,5 0,5

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Vce(sat) Voltage (Напряжение насыщения коллектор-эмиттер)

Ic, Vce

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер Vce от тока коллектора Iс. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10

BR NC ISC IKR RC

1 2 0 0 0

С-В Capacitance (Барьерная емкость коллектор-база)

Vcb, Cobo

Зависимость выходной емкости Cobo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения коллектор-база Vcb

CJC VJC MJC FC*

2 пФ 0,75 В 0,3333 0,5

Е-В Capacitance (Барьерная емкость эмиттер-база)

Veb, Cibo

Зависимость входной емкости Cibo в режиме холостого хода на входе от напряжения обратного смещения эмиттер-база Veb

CJE V.JE MJE

5 пФ 0,75 В 0,3333

Storage Time (Время рассасывания заряда)

Ic, ts

Зависимость времени рассасывания ts от тока коллектора 1с. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10

TR

10 не

Gain Bandwidth (Площадь усиления)

Ic, ГГ

Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока ГГ в схеме с ОЭ от тока коллектора 1с. Смещение коллектор-эмиттер Vce=10 В

TF ITF
XTF VTF *

1 НС
1 0 10В