Записи с меткой «включении»

Проектирование печатных плат

Проектирование печатных плат
Редактор топологии печатных плат OrCAD Layout
Наиболее естественный способ разработки печатной платы (ПП) состоит в создании ее схемы с помощью одного из графических редакторов, например OrCAD Capture, и создания списка соединений схемы в формате, приемлемом для OrCAD Layout (см. разд.
Разработка новой ПП начинается после загрузки OrCAD Layout и выполнения команды File>New. Сначала запрашивается имя технологического шаблона ПП (расширение имени файла *.ТСН или *.TPL, а). Затем — имя файла списка соединений *.MNL. В заключение указывается имя файла создаваемой ПП *.МАХ.
Команды OrCAD Layout Plus в начальном режиме

Команда

Назначение

Меню File (Файл)

New…

Создание проекта новой ПП с загрузкой файлов шаблона и списка соединений

Open… (Ctrl+O)

Открытие существующего проекта ПП

Import

Импорт файлов ПП других САПР:

MIN Interchange

Преобразование текстового файла *.MIN в бинарный файл *.МАХ

MAX ASCII to MNL

Преобразование текстового файла списка связей *.ASC в бинарный файл *.MNL

РСВ II Netlist

Преобразование текстового файла списка связей *.NET системы P-CAD в бинарный файл *.MNL

Futurenet Netlist

Преобразование текстового файла списка связей формата программы Futurenet в бинарный файл *.MNL

 

Команда

Назначение

Import

PCB386+ PCB

Преобразование файлов формата OrCAD PCB386 в файлы *.МАХ

CadStar PCB

Преобразование файлов формата CadStar в файлы *.МАХ

PADS PCB

Преобразование файлов формата PADS в файлы *.МАХ

PCAD PCB

Создание файла ПП *.МАХ после загрузки файлов *.PDF, *.TCH, pcad.ini и pcad.tbl

Protel PCB

Преобразование файлов *.РСВ системы Protel в файлы *.МАХ

Tango PCB

Преобразование файлов *.РСВ систем Tango Series II или Tango_PCB Plus в файлы *.МАХ

PCBoards

Преобразование файлов *.РСА системы DesignLab в файлы *.МАХ (не готово)

DXF to Layout

Преобразование файлов *.DXF из AutoCAD в формат *.МАХ

IDF to Layout

Преобразование файлов *.BRD системы Pro/Engineer в файлы *.МАХ

SPECCTRA to Layout

Преобразование файлов *.RTE в файлы *.МАХ

GenCAD to Layout

Преобразование файлов *.CAD системы VeriBest в файлы *.МАХ

Export

Экспорт файла базы данных печатной платы в другой формат:

МIN Interchange

Преобразование бинарного формата базы данных ПП (файлы *.МАХ) в ASCII (файлы *.MIN)

MAX to ASCII
Netlist

Преобразование бинарного формата списка связей (*.MNL) в формат ASCII (*.ASC)

РСВ386+

Преобразование в формат РСВ386

CadStar PCB

Преобразование в формат программы CADStar (файлы *.CDI)

PADS PCB

Преобразование в формат программы PADS

PCAD PCB

Внесение корректировки в PDIF-файл после изменений в файле *.МАХ

Protel PCB

Преобразование в формат Protel

Tango PCB

Преобразование в формат Tango

Layout to DXF

Преобразование файлов *.МАХ в формат AutoCAD

Layout to IDE

Преобразование в формат Pro/Engineer

Layout to GenCAD

Преобразование в формат GenCAD

Layout to IPC-356

Преобразование в формат IPC-D-356

 

Команда

Назначение

Export

Layout to SPECCTRA

Преобразование в формат SPECCTRA

Layout to Allegro

Преобразование в формат Allegro (не готово)

Exit (Alt+F4)

Выход из программы

Меню View (Просмотр)

Toolbar

Вывод пиктограмм команд

Status Bar

Вывод в основное меню строки состояний

Меню Tools (Инструменты)

Library Manager

Вызов менеджера библиотек

OrCAD Capture

Вызов программы OrCAD Capture

Visual CADD

Вызов программы Visual CADD

Smart Route

Вызов автотрассировщика Smart Route

Gerb Tool

Вызов программы Gerb Tool:

New

Создание нового Gerber-файла

Open…

Загрузка Gerber-файла

ECO’s

Корректировка ПП по изменениям, внесенным на схеме или на другой ПП:

Auto ECO

Добавление и удаление компонентов и цепей без переписывания атрибутов ПП

Auto ECO/Override
Attrs.

Создание новой ПП или включение новых компонентов на старую

Auto ECO/Override Coords

Создание новой ПП или включение новых компонентов на старую ПП с переписыванием всех координат размещения

Auto ECO/Override All

Создание новой ПП или включение новых компонентов на старую ПП с переписыванием всех атрибутов и координат размещения

Auto ECO/Add Only

Добавление компонентов и цепей без переписывания атрибутов

Auto ECO/Add Override

Добавление компонентов и цепей и обновление их параметров

Auto ECO/Net Attrs.

Передача из одной ПП в другую атрибутов цепей и правил их трассировки

Edit App Settings

Редактирование файла настройки конфигурации программы Layout (файл Lsession.ini)

Reload App
Settings

Перезагрузка файла настройки конфигурации программы Layout после его редактирования

 

Команда

Назначение

Меню Help (Помощь)

Help Topics.., (Fl)

Вывод содержания, предметного указателя и средств поиска терминов встроенной инструкции ;

Learning Layout

Вызов электронного учебника по OrCAD Layout

About Layout…

Вывод номера версии программы и ее регистрационного номера

Список ошибок, возникших при загрузке списка соединений, выводится в текстовый файл <имя_файла_списка_соединений>.ЕRR (см. рис. 6.2).
В процессе загрузки списка соединений (по терминологии P-CAD [9] это называется «упаковкой» схемы на ПП) для каждого символа схемы в библиотеках корпусов компонентов *.LLB (Footprint Libraries) отыскивается соответствующий корпус. Это соответствие указывается либо с помощью атрибута символа РСВ Footprint (см. рис. 3.42), либо в файле System.prt, фрагмент которого приведен в табл. 6.2. В этом файле строки комментарием имеют в начале символы «!»; в графе 1 указывается имя компонента, используемое при создании его символа; в графе 2 — дополнительный список упаковок компонента (обычно не указывается); в графе 3 — имя корпуса, используемое по умолчанию; в графе 4 — имя зеркального изображения корпуса (обычно создается OrCAD Layout при переносе компонента на противоположную сторону ПП); в графе 5 и других нечетных графах — имена альтернативных корпусов компонентов.
Фрагмент файла System.prt

1

2

3

4

5

! SYSTEM. PRT — System Part Library

DIP4

DIP4

DIP 14

DIP.100/14/ W.300/L.750

SIP\1P

SIP\1P

ZIP\16P

ZIP\16P

 

SIMM72

SIMM72

DIP6 \SOCKET

DIP6 \SOCKET

RC200\150

RC200\150

AC100\100

AC100\100

TRIMMERCAP

TRIMMERCAP

R200

R200

D300

D300

POT\TADJ4

POT \TADJ4

VARISTOR

VARISTOR

POT3

POTS

LED

LED

SLIMLED

SLIMLED

TO-220C

TO-220C

OSC\4P

OSC\4P

CRYSTAL

CRYSTAL

PGA\28P

PGA\28P

54F138

DIP. 100/ 16/ W.300/L850

SOG. 050/14/ WG.244/L.425

74F138

DIP. 100/ 16/ W.300/L.850

SOG. 050/14/ WG.244/L.425

74ALS996_CC

PLCC28

Если в процессе загрузки списка соединений обнаружен компонент, не имеющий ссылок на его корпус, то выводится диалоговое окно для его определения. далее…

Программа параметрической оптимизации PSpice Optimizer

Программа параметрической оптимизации PSpice Optimizer
В пакете OrCAD параметрическая оптимизация выполняется методом наискорейшего спуска путем взаимодействия модуля PSpice Optimizer с графическим редактором схем (PSpice Schematics или OrCAD Capture), программой моделирования PSpice и постпроцессором Probe. Критерий оптимизации — обеспечение заданного значения целевой функции при выполнении ряда линейных и нелинейных ограничений.
1. Если схема оптимизируемого устройства создается в PSpice Schematics, на нее наносится символ OPTPARAM из библиотеки Special.sib для определения списка оптимизируемых параметров. Щелчком по заголовку этого символа открывается панель спецификации параметров и задаются следующие величины:

  • Name — имя параметра;
  • Initial Value — начальное значение;
  • Current Value — текущее значение (вводится либо начальное значение, либо текущее, либо оба);
  • Lower Limit — нижняя граница изменения параметра;
  • Upper Limit — верхняя граница изменения параметра;
  • Tolerance — допуск стандартизованного ряда значений параметров, испрльзуемый при округлении значений параметров, в процентах.

Нажатие кнопки Add Param добавляет введенные значения к списку параметров. После ввода последнего параметра нажимается кнопка Save Param для их сохранения. далее…

Регуляторы напряжения

Регуляторы напряжения

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Reference Voltage (Напряжение стабилизации)

Vref

Напряжение стабилизации

VREF
N

1,25В 2

Dropout

Напряжение отпускания

 

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

(Vi-Vo)max

Максимальная разница между входным и выходным напряжением

IOmin

Минимальный выходной ток

Adjustment Pin Current (Ток установки)

ladj

Ток установки

BETA

50 мкСм

Output Impedance (Выходное сопротивление)

Zout

Выходное сопротивление на низких частотах

VAF CPZ

100В 1 мкФ

Zero

Частота нуля выходного комплексного сопротивления

RR

Неравномерность ослабления пульсаций на низких частотах, в децибелах

Frequency

Частота, на которой измерены Zout и RR

IO

Выходной ток, при котором измерены Zout и RR

Current Limit (Предельные значения выходного тока)

Ютах

Максимальный выходной ток

RB2
ESC1 ESC2 EFB1 EFB2 ЕВ

200 Ом 0,5
-0,1
25 -1 100

lofb, Vi-Vo

Зависимость тока обратной связи lofb от разницы между входным и выходным напряжением Vi-Vo

Магнитный сердечник. Программа Model Editor в настоящее время оценивает параметры модели магнитного сердечника (Magnetic Core) уровня LEVEL=2, в которой не учитываются эффекты взаимодействия доменов и частотно-зависимые потери. Наиболее адекватно эта модель описывает ферриты и молибденовые пермаллои. Использованная в предыдущих версиях программы PSpice модель уровня LEVEL=1 больше не используется из-за своей малой достоверности. Особенно значительные ошибки были замечены при моделировании сердечников, имеющих зазоры — в текущей версии PSpice они устранены. далее…

МОП-транзисторы

МОП-транзисторы.
Пиведены паспортные данные МОП-транзистора (MOSFET: NMOS, PMOS), вводимые пользователем, и список параметров его математической модели третьего уровня (LEVEL = 3), которые рассчитываются в программе.
Расчет параметров математических моделей отечественных МОП-транзисторов с помощью программы Model Editor затруднен ввиду того, что в паспортных данных отсутствуют значения зарядов Qg, Qgs.
МОП-транзисторы

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Transconductance (Передаточная проводимость)

Id, gFS

Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id

RS
КР W L

20*10- 3 20*10- 6 * 0,5 2*10- 6

Transfer Curve (Проходная характеристика)

Vgs, Id

Зависимость тока стока Id от смещения затвор-исток Vgs

VTO

3 В

Rds (on) Resistance (Сопротивление канала в состоянии «включено»)

Id

Ток стока

RD

10- 3 Ом

Rds

Статическое сопротивление сток-исток

Vgs

Смещение затвор-исток

Zero-Bias Leakage (Сопротивление утечки канала при нулевом смещении на затворе)

Idss

Ток стока при нулевом потенциале затвора и напряжении Yds

RDS

1 МОм

Yds

Смещение сток-исток при измерении тока Idss

Turn-On Charge (Объемный заряд в состоянии «включено»)

Qgd

Общий заряд области затвора

CGSO CGDO

40 пФ
10 пФ

Qgs

Заряд области затвор-исток, необходимый для переключения

Yds

Постоянный потенциал истока (по умолчанию 50 В)

Id

Ток стока (по умолчанию 50 А)

Output Capacitance (Выходная емкость)

Yds, Coss

Зависимость выходной емкости Coss от смещения сток-исток Yds

CBD РВ MJ FC*

1 нФ 0,8 В 0,5 0,5

Switching Time (Время переключения)

tf

Время переключения

RG

5 Ом

Id

Ток стока

Vdd

Постоянный потенциал истока (по умолчанию 20 В)

Zo

Выходное сопротивление генератора импульсного напряжения (по умолчанию 5 Ом)

Reverse Drain Current (Ток стока в инверсном режиме)

Vsd, Idr

Зависимость напряжения прямого смещения перехода исток-сток Vsd от обратного тока стока Idr

IS N RB

10- 15 А 1 10- 3 Ом

Операционные усилители. После выбора в начальном меню программы Model Editor режима Operational Amplifier необходимо по запросам программы указать тип транзистора входного каскада и наличие внутренней/внешней коррекции:

  • Technology — BJT (биполярный транзистор) или JFET (полевой транзистор);
  • Input — NPN или PNP (для биполярного транзистора) и NJF или PJF (для полевого транзистора);
  • Compensation — Internally (внутренняя) или Externally (внешняя коррекция).

В табл. 5.10 приведены паспортные данные ОУ, которые вводит пользователь, и список параметров его макромодели, которые рассчитываются в программе.
Таблица 5.10.Операционные усилители

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Large Signal Swing (Параметры для большого сигнала)

+Vpwr

Напряжение источника положительного напряжения (15 В)

VC VE

2В 2 В

-Vpwr

Напряжение источника отрицательного напряжения (-15 В)

+Vout

Максимальное значение выходного напряжения положительной полярности (13 В)

-Vout

Максимальное значение выходного напряжения отрицательной полярности (—13 В)

+SR

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения положительной полярности (500-10 В/с)

-SR

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения отрицательной полярности (500-10 В/с)

Pd

Потребляемая мощность в статическом режиме (50 мВт)

Open Loop Gain (Коэффициент усиления без цепи обратной связи — входной каскад на БТ)

Сс

Емкость коррекции (30 пФ)

BF1 BF2.
С2
СЕЕ QA
GCM IS1
IS2
IEE RC

75 75
30 пФ
0 189-10- 6
1,9- 10- 9 8-10-‘ 6
8-10- 16
15-10 16 5305

Ib

Входной ток смещения (100 нА)

Av-dc

Коэффициент усиления постоянного напряжения (200 тыс.)

f-Odb

Частота единичного усиления (1 МГц)

CMRR

Коэффициент подавления синфазного сигнала (100 тыс.)
.

 

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Ibos

Входной ток смещения

RE
REE RP

1832
13 810 18 160

Vos

Напряжение смещения нуля

Open Loop Gain (Коэффициент усиления без цепи обратной связи — входной каскад на ПТ)

Сс

Емкость коррекции (10 пФ)

BETA С2
CSS GA
GCM
IS ISS
RD RSS RP

789*10- 6 10 пФ
0 63*10- 6
63*10- 11
15*10- 12 5*10- 6
15,9 40*10 6

Av-dc

Коэффициент усиления постоянного напряжения (200 тыс.)

f-Odb

Частота единичного усиления (1 МГц)

CMRR

Коэффициент подавления синфазного сигнала (100 тыс.)

Ibos

Входной ток смещения (30 пА)

Vos

Напряжение смещения нуля

Open Loop Phase (Фазочастотная характеристика без цепи обратной связи)

Phi

Запас по фазе на частоте единичного усиления, град. (60°)

C1

8,6 пФ

Maximum Output Swing (Предельные значения выходных сопротивлений)

Ro-dc

Выходное сопротивление на низких частотах (75 Ом)

R01 R02
GB

50 Ом 25 Ом
424,4

Ro-ac

Выходное сопротивление на высоких частотах (50 Ом)

los

Максимальный ток короткого замыкания (20 мА)

 
Замечания.
1. По умолчанию параметрам математической модели присваиваются значения параметров конкретных ОУ. Выше для конкретности приведены параметры модели ОУ 140УД7 (аналог мA741).
2. Частота единичного усиления f-Odb связана с частотой первого полюса f 1 соотношением f-Odb = f 1 Av-dc . Запас по фазе Phi на частоте единичного усиления определяется отношением частоты единичного усиления к частоте второго полюса f 2
Phi = 90° — arctg(f-Odb / f 2 ),
где арктангенс вычисляется в градусах.
3. Для ОУ с внешней коррекцией указывается значение емкости корректирующего конденсатора Сс, для которого приведено значение запаса по фазе Phi и другие параметры ОУ.
4. В справочных данных обычно приводится полное выходное сопротивление Rвых = Ro-ac + Ro-dc. Его надо разделить на две составляющие, ориентируясь на приближенное соотношение Ro-dc = 2Ro-ac.
5. В последних версиях OrCAD учитывается напряжение смещения нуля ОУ.
Компараторы напряжения. далее…

Диоды

Диоды

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Forward Voltage (Прямая ветвь ВАХ)

Vfwd, Ifwd

Координаты точек ВАХ диода

IS RS

10- 4 А 0,1 Ом

N

1

IKF

0

XTI*

3

EG*

1,11 В

Junction Capacitance (Барьерная емкость)

Vrev, Cj

Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения

CJO VJ М

1 пФ 0,75 В 0,3333

FC*

-0,5 В

 

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Reverse Leakage (Сопротивление утечки)

Vrev, Irev

Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения

ISR NR

100 пА 2

Reverse Breakdown (Напряжение стабилизации)

Vz

Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz

BV IBV

100 В 100 мкА

Iz

Ток пробоя (стабилизации)

Zz

Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz)

Reverse Recovery (Рассасывание носителей заряда)

Trr

Время рассасывания носителей заряда

ТТ

5 не

Ifwd

Ток диода в прямом направлении до переключения

Irev

Обратный ток диода после переключения

Rl

Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора)

Биполярные транзисторы. В табл. 5.6 приведены паспортные данные биполярного транзистора (Bipolar Transistor: NPN, PNP), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.
Биполярные транзисторы

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

V(be) (sat) Voltage (Напряжение на р-я-переходе в режиме насыщения)

Vbe

Смещение база-эмиттер в режиме насыщения

IS RB
XTI* EG*

10- 5 А 3 Ом
1,11 В

Vce

Смещение коллектор-эмиттер в режиме насыщения

Output Admitance (Выходная проводимость)

Ic, hoe

Зависимость выходной проводимости при холостом ходе на выходе hoe от тока коллектора 1с

VAF

100 В

Vce

Смещение коллектор-эмиттер Vce=5 В

Forward DC Beta (Статический коэффициент передачи по току)

Ic, hFE

Зависимость статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ в нормальном режиме hFE от тока коллектора 1с. Измерения проводились при смещении коллектор-эмиттер Vce=l В

BF
NE ISE XTB*
NK*

100 1,5 0 1,5 0,5

 

Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Vce(sat) Voltage (Напряжение насыщения коллектор-эмиттер)

Ic, Vce

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер Vce от тока коллектора Iс. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10

BR NC ISC IKR RC

1 2 0 0 0

С-В Capacitance (Барьерная емкость коллектор-база)

Vcb, Cobo

Зависимость выходной емкости Cobo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения коллектор-база Vcb

CJC VJC MJC FC*

2 пФ 0,75 В 0,3333 0,5

Е-В Capacitance (Барьерная емкость эмиттер-база)

Veb, Cibo

Зависимость входной емкости Cibo в режиме холостого хода на входе от напряжения обратного смещения эмиттер-база Veb

CJE V.JE MJE

5 пФ 0,75 В 0,3333

Storage Time (Время рассасывания заряда)

Ic, ts

Зависимость времени рассасывания ts от тока коллектора 1с. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10

TR

10 не

Gain Bandwidth (Площадь усиления)

Ic, ГГ

Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока ГГ в схеме с ОЭ от тока коллектора 1с. Смещение коллектор-эмиттер Vce=10 В

TF ITF
XTF VTF *

1 НС
1 0 10В

Статически индуцированный биполярный транзистор. Паспортные данные статически индуцированного биполярного транзистора (Ins Gate Bipolar Transistor), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. далее…